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Grâce à l'utilisation d'une nouvelle technologie de puce, d'un nouveau logiciel et de la mémoire flash 3D NAN, la capacité maximale a été augmentée et la vitesse d'écriture minimale continue a été améliorée à 90 Mo/sec. La capacité maximale de 512 Go, quatre fois plus élevée que celle de la série précédente, constitue une première mondiale dans ce facteur de forme et avec cette vitesse de transfert.
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